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首页 全部分类 APTGL60DDA120T3G vs APTGT50A120T1G

APTGL60DDA120T3G备选型号: APTGT50A120T1G

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  • 输入电容
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  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTGL60DDA120T3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    280W
    未说明
    未说明
    双升压斩波器
    Dual
    280W
    Standard
    1.2kV
    80A
    250μA
    1200V
    2.77nF
    2.25V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    有
    20V
    2.77nF @ 25V
    2.25 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50A120T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 12-Pin Case SP-1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    1
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    277W
    -
    -
    半桥
    Dual
    277W
    Standard
    2.1V
    75A
    250μA
    1200V
    3.6nF
    2.1V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    有
    20V
    3.6nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    SILICON
    e1
    yes
    12
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    12
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    140 ns
    610 ns
    无
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