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首页 全部分类 APTGT100A170TG vs APTGT50SK170T1G

APTGT100A170TG备选型号: APTGT50SK170T1G

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Microsemi Corporation
    APTGT100A170TG
    Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    20
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    560W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    R-XUFM-X12
    不合格
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    370 ns
    560W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    150A
    250μA
    1700V
    9nF
    450 ns
    2.4V @ 15V, 100A
    1100 ns
    沟渠现场停车
    有
    9nF @ 25V
    2.4 V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT50SK170T1G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 75A 12-Pin Case SP-1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C TJ
    2012
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    -
    312W
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    -
    12
    -
    -
    Single
    -
    ISOLATED
    -
    312W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    75A
    250μA
    1700V
    4.4nF
    450 ns
    2.4V @ 15V, 50A
    1100 ns
    沟渠现场停车
    有
    4.4nF @ 25V
    2.4 V
    符合RoHS标准
    -
    2V
    20V
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    无
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