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首页 全部分类 APTGT150A60T3AG vs APT200GN60J

APTGT150A60T3AG备选型号: APT200GN60J

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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    APTGT150A60T3AG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 20-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    20
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    600W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    25
    R-XUFM-X10
    不合格
    半桥
    Dual
    ISOLATED
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    225A
    250μA
    9.2nF
    180 ns
    1.9V @ 15V, 150A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    9.2nF @ 25V
    1.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT200GN60J
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    24 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    SILICON
    600V
    -55°C~175°C TJ
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    682W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    4
    -
    -
    Single
    -
    ISOLATED
    682W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    283A
    25μA
    14.1nF
    75 ns
    1.85V @ 15V, 200A
    1210 ns
    沟渠现场停车
    无
    14.1nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    30.000004g
    1.5V
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    20V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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