APTGT150DU120G备选型号: APTGL180A1202G

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  • 元素配置
  • 箱体转运
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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 操作温度
  • 功率 - 最大
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    7
    1.2kV
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    锡银铜
    150°C
    -40°C
    雪崩 额定
    690W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    7
    Dual, Common Source
    Dual
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    220A
    350μA
    1200V
    10.7nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 150A
    610 ns
    沟渠现场停车
    10.7nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP2
    18
    1.2kV
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    750W
    -
    -
    -
    半桥
    Dual
    -
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    220A
    300μA
    1200V
    9.3nF
    -
    2.2V @ 15V, 150A
    -
    沟渠现场停车
    9.3nF @ 25V
    符合RoHS标准
    OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)
    -40°C~175°C TJ
    750W
    20V
    2.2 V
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APTGL180A1202G APTGL180A1202G Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP2 IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2 对比