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首页 全部分类 APTGT200A602G vs APTGT150DA60T1G

APTGT200A602G备选型号: APTGT150DA60T1G

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
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  • 元素配置
  • 功率 - 最大
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Microsemi Corporation
    APTGT200A602G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 290A 625W SP2
    OBSOLETE (Last Updated: 3 weeks ago)
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP2
    18
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    625W
    半桥
    Dual
    625W
    Standard
    600V
    290A
    50μA
    12.3nF
    1.9V @ 15V, 200A
    沟渠现场停车
    无
    12.3nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT150DA60T1G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 225A 480W SP1
    -
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    1
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    480W
    Single
    -
    480W
    Standard
    1.9V
    225A
    250μA
    9.2nF
    1.9V @ 15V, 150A
    沟渠现场停车
    有
    9.2nF @ 25V
    符合RoHS标准
    SILICON
    e1
    yes
    12
    锡银铜
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    未说明
    未说明
    12
    不合格
    ISOLATED
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    180 ns
    370 ns
    20V
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