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APTGT200DA120D3G备选型号: APT150GN120JDQ4
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 附加功能
- 栅极-发射极电压-最大值
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
IGBT MODULE 1200V 300A 1050W D336 WeeksChassis Mount, Screw底座安装D-3 Module5SILICON1.2kV-40°C~150°C TJ2012e1yes活跃1 (Unlimited)7EAR99锡银铜1.05kWUPPERUNSPECIFIED7R-XUFM-X7SingleISOLATED1050WMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard1.2kV300A6mA1200V14nF400 ns2.1V @ 15V, 200A830 ns沟渠现场停车无14nF @ 25V符合RoHS标准---------
IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP29 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SOT-227-4, miniBLOC4SILICON1.2kV-55°C~150°C TJ1999-yes活跃1 (Unlimited)4EAR99-625WUPPERUNSPECIFIED4-SingleISOLATED625W电源控制N-CHANNELStandard1.2kV215A300μA1200V9.5nF120 ns2.1V @ 15V, 150A955 ns沟渠现场停车无9.5nF @ 25V符合RoHS标准30.000004g1.7VLOW CONDUCTION LOSS, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED30V2.1 V9.6mm38.2mm25.4mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF200R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module | 对比 |
| APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SOT-227-4, miniBLOC | IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP | 对比 |
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