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首页 全部分类 APTGT200DA60T3AG vs BSM200GB60DLCHOSA1

APTGT200DA60T3AG备选型号: BSM200GB60DLCHOSA1

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • VCEsat-最大值
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    APTGT200DA60T3AG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 600V 290A 32-Pin Case SP-3
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    32
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    750W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    25
    R-XUFM-X8
    不合格
    Single
    ISOLATED
    750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    290A
    250μA
    12.3nF
    180 ns
    1.9V @ 15V, 200A
    370 ns
    沟渠现场停车
    有
    20V
    12.3nF @ 25V
    1.9 V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSM200GB60DLCHOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 600V 230A 730W
    14 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    34
    SILICON
    600V
    -40°C~125°C
    2000
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    445W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    -
    7
    R-XUFM-X7
    -
    Single
    ISOLATED
    730W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    230A
    500μA
    -
    229 ns
    2.45V @ 15V, 200A
    326 ns
    -
    无
    -
    9nF @ 25V
    -
    符合RoHS标准
    1.95V
    no
    Dual
    445W
    不含卤素
    30.5mm
    94mm
    34mm
    无铅
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