Infineon Technologies BSM200GB60DLCHOSA1

工厂交货时间

14 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

34

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.95V

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~125°C

已出版

2000

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

445W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

7

JESD-30代码

R-XUFM-X7

配置

Single

元素配置

Dual

功率耗散

445W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

730W

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

230A

最大集极截止电流

500μA

接通时间

229 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.45V @ 15V, 200A

关断时间-标准值（toff)

326 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

9nF @ 25V

高度

30.5mm

长度

94mm

宽度

34mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅