APTGT450DA60G备选型号: APTGT300A60TG

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 600V 550A 1750W SP6
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    5
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    1.75kW
    UPPER
    UNSPECIFIED
    5
    Single
    ISOLATED
    1750W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    550A
    500μA
    37nF
    205 ns
    1.8V @ 15V, 450A
    400 ns
    沟渠现场停车
    37nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    10
    SILICON
    600V
    -40°C~175°C TJ
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    -
    -
    935W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    10
    半桥
    ISOLATED
    935W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    600V
    430A
    350μA
    18.4nF
    180 ns
    1.9V @ 15V, 300A
    370 ns
    沟渠现场停车
    18.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    R-XUFM-X9
    Dual
    115 ns
    无铅
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