APTGT50TA60PG备选型号: APTGT50X60T3G
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 生命周期状态
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 接通延迟时间
- 栅极-发射极电压-最大值
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 21-Pin Case SP-6P36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP66SILICON600V-40°C~175°C TJ2006e1yes活跃1 (Unlimited)21EAR99锡银铜雪崩 额定176WUPPERUNSPECIFIED21R-XUFM-X21三相ISOLATED176W电源控制N-CHANNELStandard1.9V80A250μA3.15nF170 ns1.9V @ 15V, 50A310 ns沟渠现场停车无3.15nF @ 25V符合RoHS标准----------
- IGBT MODULE 600V 80A 176W SP336 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP332SILICON600V-40°C~175°C TJ2007e1yes活跃1 (Unlimited)25EAR99锡银铜-176WUPPERUNSPECIFIED25R-XUFM-X25三相逆变器ISOLATED176WMOTOR CONTROLN-CHANNELStandard600V80A250μA3.15nF170 ns1.9V @ 15V, 50A310 ns沟渠现场停车有3.15nF @ 25V符合RoHS标准IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)1.5V110 ns20V1.9 V11.5mm73.4mm40.8mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT50TL601G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 | 对比 |
![]() | APTGT50DH60T1G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP1 | Trans IGBT Module N-CH 600V 80A 10-Pin Case SP-1 | 对比 |
![]() | APTGT50X60T3G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP3 | IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 | 对比 |






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