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首页 全部分类 APTGT50TDU170PG vs APTGF50DH120T3G

APTGT50TDU170PG备选型号: APTGF50DH120T3G

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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    APTGT50TDU170PG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.7KV 70A 21-Pin Case SP-6P
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    21
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~150°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    310W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    21
    Triple, Dual - Common Source
    ISOLATED
    310W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    70A
    250μA
    1700V
    4.4nF
    450 ns
    2.4V @ 15V, 50A
    1050 ns
    沟渠现场停车
    无
    4.4nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGF50DH120T3G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 70A 16-Pin Case SP-3
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    -
    1.2kV
    -
    2012
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    11
    EAR99
    -
    -
    312W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    25
    不对称桥
    ISOLATED
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    70A
    250μA
    1200V
    3.45nF
    100 ns
    3.7V @ 15V, 50A
    400 ns
    NPT
    有
    3.45nF @ 25V
    符合RoHS标准
    150°C
    -40°C
    未说明
    未说明
    R-XUFM-X11
    不合格
    Dual
    20V
    3.7 V
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