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APTGT75DA120TG备选型号: APTGL60DDA120T3G

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 输入电容
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • VCEsat-最大值
  • Microsemi Corporation
    APTGT75DA120TG
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 110A 20-Pin Case SP-4
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP4
    20
    SILICON
    1.2kV
    -40°C~150°C TJ
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    锡银铜
    雪崩 额定
    357W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    12
    R-XUFM-X12
    不合格
    Single
    ISOLATED
    357W
    电源控制
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    110A
    250μA
    1200V
    5.34nF
    335 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    610 ns
    沟渠现场停车
    有
    5.34nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGL60DDA120T3G
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
    -
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP3
    16
    -
    1.2kV
    -40°C~175°C TJ
    2012
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    280W
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    双升压斩波器
    -
    280W
    -
    -
    Standard
    1.2kV
    80A
    250μA
    1200V
    2.77nF
    -
    2.25V @ 15V, 50A
    -
    沟渠现场停车
    有
    2.77nF @ 25V
    符合RoHS标准
    Dual
    20V
    2.25 V
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