APTGT75TA120PG备选型号: APTGT75TDU120PG
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 输入电容
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 已出版
- IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6PIN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP66SILICON1.2kV-40°C~150°C TJe1yes活跃1 (Unlimited)21EAR99锡银铜雪崩 额定350WUPPERUNSPECIFIED21R-XUFM-X21三相ISOLATED350W电源控制N-CHANNELStandard2.1V100A250μA1200V5.34nF335 ns2.1V @ 15V, 75A610 ns沟渠现场停车无5.34nF @ 25V符合RoHS标准-
- IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6PIN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)36 WeeksChassis Mount, Screw底座安装SP66SILICON1.2kV-e1yes活跃1 (Unlimited)21EAR99锡银铜雪崩 额定350WUPPERUNSPECIFIED21R-XUFM-X21Triple, Dual - Common SourceISOLATED350W电源控制N-CHANNELStandard2.1V100A250μA1200V5.34nF335 ns2.1V @ 15V, 75A610 ns沟渠现场停车无5.34nF @ 25V符合RoHS标准2006
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS75R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 模块 | Module | MOD IGBT LOW PWR ECONO3-1 | 对比 |
![]() | APTGT75TDU120PG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P | 对比 |





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