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首页 全部分类 APTM120DA30CT1G vs FPF1C2P5BF07A

APTM120DA30CT1G备选型号: FPF1C2P5BF07A

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 无铅代码
  • 最大功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 隔离电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • Microsemi Corporation
    APTM120DA30CT1G
    Microsemi Corporation
    Trans MOSFET N-CH 1.2KV 31A 12-Pin Case SP-1
    22 Weeks
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    Chassis Mount, Screw, Through Hole
    底座安装
    SP1
    1
    SILICON
    1
    -40°C~150°C TJ
    Bulk
    POWER MOS 8™
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    12
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
    增强型MOSFET
    657W
    ISOLATED
    100 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    360m Ω @ 25A, 10V
    5V @ 2.5mA
    14560pF @ 25V
    560nC @ 10V
    60ns
    1200V
    ±30V
    90 ns
    31A
    30V
    0.36Ohm
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FPF1C2P5BF07A
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5BF07A IPM, MOSFET, 250W, 36A, 650V
    13 Weeks
    -
    通孔
    底座安装
    F1 Module
    -
    -
    -
    -40°C~150°C TJ
    Tray
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5 N-Channel (Solar Inverter)
    -
    90m Ω @ 27A, 10V
    3.8V @ 250μA
    -
    -
    -
    650V
    -
    -
    36A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    23g
    yes
    250W
    109 ns
    2.5kV
    Standard
    无SVHC
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