Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G

工厂交货时间

22 Weeks

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

底架

Chassis Mount, Screw, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

引脚数

1

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

657W Tc

Turn Off Delay Time

315 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

POWER MOS 8™

已出版

1997

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

12

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

657W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

100 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560nC @ 10V

上升时间

60ns

漏源电压 (Vdss)

1200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

31A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.36Ohm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准