AS4C128M16D2A-25BIN备选型号: IS43DR16320D-25DBLI
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- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 操作模式
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- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 资历状况
- 工作电源电压
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- AS4C128M16D2A Series 2 Gb (128 M x 16) 1.9 V 400 MHz DDR2 SDRAM - FBGA-848 Weeks表面贴装84-TFBGAYESVolatile-40°C~95°C TCTray2015yes活跃3 (168 Hours)84EAR99AUTO/SELF REFRESH1.7V~1.9VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明R-PBGA-B841.9V1.7V2Gb 128M x 161SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel128MX161615ns2147483648 bit0.4 ns多库页面突发12.5mm1.2mm8mmROHS3 Compliant无铅------------------
- DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA8 Weeks表面贴装84-TFBGA-Volatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)84EAR99可编程赌场延迟1.7V~1.9VBOTTOM未说明11.8V0.8mm未说明-1.9V1.7V512Mb 32M x 161SYNCHRONOUS400MHzDRAMParallel32MX161615ns---12.5mm1.2mm-ROHS3 Compliant-Copper, Silver, Tin表面贴装84e1锡银铜8542.32.00.28不合格1.8V400ps16b3-STATE13b512 Mb0.025ACOMMON81924848
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16320D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA | 对比 | |
| IS43DR16320D-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA | 对比 |



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