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首页 全部分类 AS4C16M16S-6BIN vs IS42S16160G-6BL

AS4C16M16S-6BIN备选型号: IS42S16160G-6BL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 最大电源电流
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C16M16S-6BIN
    Alliance Memory, Inc.
    DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
    表面贴装
    54-TFBGA
    YES
    54
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2014
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    54
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Mb 16M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    100mA
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    16MX16
    16
    12ns
    13b
    256 Mb
    8mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16160G-6BL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
    表面贴装
    54-TFBGA
    -
    54
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    54
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3.3V
    0.8mm
    3.3V
    3.6V
    3V
    256Mb 16M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    -
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    16b
    16MX16
    16
    -
    15b
    256 Mb
    8mm
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    -
    6 Weeks
    表面贴装
    未说明
    未说明
    54
    不合格
    160mA
    3-STATE
    0.004A
    COMMON
    8192
    1248FP
    1248
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