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AS4C16M16S-7BCN备选型号: IS42S16160G-7BL
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DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM表面贴装表面贴装54-TFBGA5454-TFBGA (8x8)Volatile0°C~70°C TATray2012Obsolete3 (168 Hours)70°C0°C3V~3.6V143MHzParallel3.6V3V256Mb 16M x 16100mA143MHz5.4nsDRAMParallel16b14ns256 Mb143MHz710μm8.1mm8.1mm符合RoHS标准无铅----------------------------
DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V表面贴装表面贴装54-TFBGA54-Volatile0°C~70°C TATray-活跃3 (168 Hours)--3V~3.6V----256Mb 16M x 16-143MHz5.4nsDRAMParallel16b-256 Mb--8mm-ROHS3 Compliant-6 Weeks54EAR99AUTO/SELF REFRESHBOTTOM未说明13.3V0.8mm未说明54不合格3.3V3.6V3V1130mASYNCHRONOUS16MX163-STATE1615b0.004ACOMMON81921248FP12481.2mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16160G-7BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |
| IS42S16160G-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |
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