AS4C16M16SA-7TCN备选型号: IS42S16400J-7TLI
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- IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP8 Weeks表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)54-TSOP IIVolatile0°C~70°C TATray2014活跃3 (168 Hours)70°C0°C3V~3.6V143MHzParallel256Mb 16M x 16143MHz5.4nsDRAMParallel14nsROHS3 Compliant无铅---------------------------------
- IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP6 Weeks表面贴装54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)-Volatile-40°C~85°C TATray-活跃3 (168 Hours)--3V~3.6V--64Mb 4M x 16143MHz5.4nsDRAMParallel-ROHS3 Compliant-Tin表面贴装54IS42S16400J-7TLIe354EAR99AUTO/SELF REFRESHDUAL13.3V0.8mm543.3V3.6V3V190mA90mA16b4MX163-STATE14b64 MbCOMMON4096NOYES1.2mm22.42mm10.29mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16400J-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP | 对比 | |
| IS42S16100H-7TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | 对比 | |
![]() | MD56V62160M-7TAZ0AX | ROHM Semiconductor | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP | 对比 |




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