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首页 全部分类 AS4C1M16S-6TINTR vs IS42S16400J-6TL

AS4C1M16S-6TINTR备选型号: IS42S16400J-6TL

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  • 电压 - 供电
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  • Reach合规守则
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  • 内存格式
  • 内存接口
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  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 功能数量
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  • 最大电流源
  • 端口的数量
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 反向引脚排列
  • 自我刷新
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C1M16S-6TINTR
    Alliance Memory, Inc.
    IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
    8 Weeks
    表面贴装
    50-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2015
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    3V~3.6V
    未说明
    unknown
    未说明
    16Mb 1M x 16
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    2ns
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS42S16400J-6TL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
    6 Weeks
    表面贴装
    54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    3.3V
    -
    -
    -
    64Mb 4M x 16
    166MHz
    5.4ns
    DRAM
    Parallel
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    54
    100mA
    54
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    DUAL
    1
    0.8mm
    100mA
    1
    16b
    4MX16
    3-STATE
    16
    14b
    64 Mb
    COMMON
    3.6V
    3V
    4096
    1248FP
    1248
    NO
    YES
    22.22mm
    1.2mm
    无
    无铅
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