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首页 全部分类 AS4C256M8D3-15BCN vs IS43TR16640BL-125JBL

AS4C256M8D3-15BCN备选型号: IS43TR16640BL-125JBL

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  • 工厂交货时间
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  • 操作温度
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • JESD-30代码
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 长度
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C256M8D3-15BCN
    Alliance Memory, Inc.
    IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
    8 Weeks
    表面贴装
    YES
    78-TFBGA
    Volatile
    2014
    Tray
    0°C~90°C TC
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    78
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.36
    1.425V~1.575V
    BOTTOM
    1
    1.5V
    0.8mm
    R-PBGA-B78
    1.575V
    1.425V
    2Gb 256M x 8
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    256MX8
    8
    15ns
    2147483648 bit
    10.5mm
    8mm
    1.2mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43TR16640BL-125JBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA
    6 Weeks
    表面贴装
    YES
    96-TFBGA
    Volatile
    -
    Tray
    0°C~95°C TC
    活跃
    3 (168 Hours)
    96
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.32
    1.283V~1.45V
    BOTTOM
    1
    1.5V
    0.8mm
    -
    1.575V
    1.425V
    1Gb 64M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    800MHz
    20ns
    DRAM
    Parallel
    64MX16
    16
    15ns
    -
    13mm
    -
    1.2mm
    ROHS3 Compliant
    96
    e1
    锡银铜
    未说明
    未说明
    1.35V
    13b
    1 Gb
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