IS43TR16640BL-125JBL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL

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型号

IS43TR16640BL-125JBL

utmel 编号

1266-IS43TR16640BL-125JBL

商品类别

存储器

封装

96-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA

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IS43TR16640BL-125JBL
IS43TR16640BL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.35V 96-Pin TWBGA

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IS43TR16640BL-125JBL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    96-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    96

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~95°C TC

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    96

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.32

  • 电压 - 供电

    1.283V~1.45V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.5V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 工作电源电压

    1.35V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.575V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.425V

  • 内存大小

    1Gb 64M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    800MHz

  • 访问时间

    20ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    64MX16

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 地址总线宽度

    13b

  • 密度

    1 Gb

  • 长度

    13mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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