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首页 全部分类 AS4C32M16D2A-25BIN vs IS43DR16320D-3DBL

AS4C32M16D2A-25BIN备选型号: IS43DR16320D-3DBL

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 操作模式
  • 时钟频率
  • 电源电流-最大值
  • 访问时间
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 待机电流-最大值
  • 记忆密度
  • I/O类型
  • 刷新周期
  • 顺序突发长度
  • 交错突发长度
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Alliance Memory, Inc.
    AS4C32M16D2A-25BIN
    Alliance Memory, Inc.
    IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    84-TFBGA
    YES
    Volatile
    -40°C~95°C TC
    Tray
    2014
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    AUTO/SELF REFRESH
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    R-PBGA-B84
    不合格
    1.9V
    1.8V
    1.7V
    512Mb 32M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    400MHz
    0.18mA
    400ps
    DRAM
    Parallel
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    0.008A
    536870912 bit
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS43DR16320D-3DBL
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    84-TFBGA
    YES
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    84
    EAR99
    可编程赌场延迟
    1.7V~1.9V
    BOTTOM
    1
    1.8V
    0.8mm
    R-PBGA-B84
    不合格
    1.9V
    1.8V
    1.7V
    512Mb 32M x 16
    1
    SYNCHRONOUS
    333MHz
    -
    450ps
    DRAM
    Parallel
    32MX16
    3-STATE
    16
    15ns
    0.025A
    536870912 bit
    COMMON
    8192
    48
    48
    12.5mm
    1.2mm
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    e1
    锡银铜
    8542.32.00.28
    未说明
    未说明
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