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AS4C32M16SA-7BINTR备选型号: IS42S16320F-7BLI
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- Reach合规守则
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- 内存大小
- 时钟频率
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- 内存格式
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
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- 端口的数量
- 操作模式
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- I/O类型
- 刷新周期
- 顺序突发长度
- 交错突发长度
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
IC SDRAM 512MBIT 143MHZ 54BGA8 Weeks表面贴装54-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2014yes活跃3 (168 Hours)3V~3.6V未说明unknown未说明512Mb 32M x 16143MHz5.4nsDRAMParallel2nsROHS3 Compliant----------------------------
IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA6 Weeks表面贴装54-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATray--活跃3 (168 Hours)3V~3.6V---512Mb 32M x 16143MHz5.4nsDRAMParallel-ROHS3 CompliantYESe154Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)AUTO/SELF REFRESHBOTTOM13.3V0.8mmR-PBGA-B54不合格3.6V3.3V3V1SYNCHRONOUS32MX163-STATE160.004A536870912 bitCOMMON81921248FP124813mm1.2mm8mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S16400J-7BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA | 对比 |
 | IS42S16100H-7BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 60-TFBGA | IC DRAM 16M PARALLEL 60TFBGA | 对比 |
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