AS6C1008-55STINL备选型号: AS6C4008-55SINTR
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 功能数量
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
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- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 资历状况
- 电源
- 输出特性
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 无铅
- SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width)YES32Volatile-40°C~85°C TATray2008yes活跃3 (168 Hours)323VDUAL未说明10.5mm未说明1Mb 128K x 8SRAMParallel128KX8855ns1048576 bit55 ns5.5V2.7V11.8mm1.25mm8mmROHS3 Compliant-----------
- IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP8 Weeks表面贴装32-SOIC (0.445, 11.30mm Width)YES32Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2013yes活跃3 (168 Hours)323VDUAL26011.27mm404Mb 512K x 8SRAMParallel512KX8855ns-55 ns5.5V2.7V-2.997mm11.303mmROHS3 Compliante3/e6EAR99PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH不合格3/5V3-STATE4 Mb0.00003ACOMMON1.5V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R1LV0108ESN-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 存储器 | 32-SOIC (0.450, 11.40mm Width) | SRAM Chip Async Single 3V 1M-bit 128K x 8 55ns 32-Pin SOP Tube | 对比 |
![]() | AS6C4008-55SINTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP | 对比 |
| AS6C4008-55TIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55TIN SRAM, 4MB, 2.7V-5.5V, 512KX8, TSOP32 | 对比 |





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