AS6C1016-55ZIN备选型号: AS6C1008-55TIN
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 内存格式
- 内存接口
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile-40°C~85°C TATray2007yes活跃3 (168 Hours)44EAR992.7V~5.5VDUAL26013V0.8mm4044不合格3V5.5V3/5V2.7V1Mb 64K x 161SRAMParallel3-STATE1655ns16b1 Mb0.00002A55 nsCOMMON2VROHS3 Compliant无铅------
- ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55TIN - SRAM, 1MB, 2.7V-5.5V, 128KX8, 32TSOP-18 Weeks表面贴装32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)-32Volatile-40°C~85°C TATray2006yes活跃3 (168 Hours)32EAR992.7V~5.5VDUAL26013V0.5mm4032-3V5.5V-2.7V1Mb 128K x 81SRAMParallel3-STATE-55ns17b1 Mb-55 nsCOMMON-ROHS3 Compliant无铅表面贴装1mm8mm18.4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62126ESL-45ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
![]() | AS6C1008-55STIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 32-LFSOP (0.465, 11.80mm Width) | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin STSOP | 对比 |
| CY62126ESL-45ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |




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