AS6C1016-55ZIN备选型号: CY62126ESL-45ZSXIT

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  • 待机电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 同步/异步
  • 字长
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2007
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    40
    44
    不合格
    3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    1Mb 64K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    16b
    1 Mb
    0.00002A
    55 ns
    COMMON
    2V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
    6 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    -
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    44
    EAR99
    2.2V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    20
    -
    不合格
    -
    3.6V
    2.5/3.3/5V
    2.2V
    1Mb 64K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    45ns
    16b
    1 Mb
    0.000003A
    45 ns
    COMMON
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    MoBL®
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    IT CAN ALSO OPERATES WITH 4.5V TO 5.5V SUPPLY
    CY62126
    16mA
    Asynchronous
    16b
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