AS6C2008A-55BIN备选型号: AS6C1008-55BIN
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 供电
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- RoHS状态
- 表面安装
- 引脚数
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 端口的数量
- 输出特性
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 长度
- 辐射硬化
- IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA8 Weeks表面贴装36-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATray2007yes活跃3 (168 Hours)2.7V~5.5V未说明unknown未说明2Mb 256K x 8SRAMParallel55nsROHS3 Compliant-----------------------
- SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns8 Weeks表面贴装36-TFBGAVolatile-40°C~85°C TATray2006yes活跃3 (168 Hours)2.7V~5.5V260-401Mb 128K x 8SRAMParallel55nsROHS3 CompliantYES3636EAR99BOTTOM13V0.75mm363V5.5V3/5V2.7V13-STATE817b1 Mb0.000003A55 nsCOMMON8mm无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS42S16400J-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TFBGA | IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | AS6C1008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 36-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns | 对比 |



哦! 它是空的。