AS6C3216-55TINTR备选型号: CY62157EV30LL-55ZXE
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- RoHS状态
- 表面安装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源
- 组织结构
- 输出特性
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- 待机电流-最大值
- 记忆密度
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- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM8 Weeks表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)4848-TSOP IVolatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2012Discontinued3 (168 Hours)85°C-40°C2.7V~3.6VParallel32Mb 2M x 1655nsSRAMParallel55ns3.6V2.7VROHS3 Compliant----------------------------
- SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns Automotive 48-Pin TSOP-I Tray8 Weeks表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48-Volatile-40°C~125°C TATube2011活跃3 (168 Hours)--3V-8Mb 512K x 16-SRAMParallel55ns3.6V2.2VROHS3 CompliantYESMoBL®e4yes483A991.B.2.ANickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8542.32.00.41DUAL26010.5mm30CY62157R-PDSO-G48不合格2.5/3.3V512KX163-STATE160.00003A8388608 bit55 nsCOMMON1.5V18.4mm1.2mm12mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS6C1616-55TIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM | 对比 |
| CY62167DV30LL-55ZXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62167DV30LL-55ZXI IC, SRAM, 16MB, 1MX16, 3V, TSOP48 | 对比 | |
| CY62157EV30LL-55ZXE | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns Automotive 48-Pin TSOP-I Tray | 对比 |



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