AS6C4016A-45ZIN备选型号: IS61WV25616BLL-10TLI
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 宽度
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 引脚数
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 端口的数量
- 电源电流
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile2011-40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)442.7V~5.5VDUAL未说明13.3V0.8mm未说明R-PDSO-G44不合格3.6V3/3.3V2.7V4Mb 256K x 160.035mASRAMParallel256KX163-STATE1645ns0.000004A4194304 bit45 nsCOMMON1.5V10.16mm18.41mm1.2mmROHS3 Compliant--------------
- IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YESVolatile--40°C~85°C TATray活跃3 (168 Hours)442.4V~3.6VDUAL26013.3V0.8mm40--3.6V2.5/3.3V2.4V4Mb 256K x 16-SRAMParallel-3-STATE-10ns0.009A--COMMON2V10.29mm18.54mm-ROHS3 Compliant44e3yesMatte Tin (Sn) - annealed44145mA18b4 MbAsynchronous16b1.05mm无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62C1024AL-35TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS62C1024AL-35TLI IC, SRAM, 1MBIT, 35NS, TSOP-32 | 对比 | |
| IS61WV25616BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II | 对比 | |
![]() | CY7C1019DV33-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II | 对比 |




哦! 它是空的。