AS6C8008A-45BIN备选型号: CY62167EV30LL-45BVXI
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- 工厂交货时间
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
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- 内存大小
- 内存格式
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- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
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- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 端口的数量
- 电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 最高频率
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 备用内存宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM 8M LOW, 3V, 1024K x 8 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装48-VFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray2012活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VBOTTOM未说明13.3V0.75mm未说明3.6V2.7V8Mb 1M x 8SRAMParallel1MX8845ns8388608 bit45 ns10mm1mm8mmROHS3 Compliant----------------------
- CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62167EV30LL-45BVXI - SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 2.2V to 3.6V, FBGA, 48 Pins, 45 ns10 Weeks表面贴装48-VFBGA-48Volatile-40°C~85°C TATray2001活跃3 (168 Hours)482.2V~3.6VBOTTOM26013V0.75mm303.6V2.2V16Mb 2M x 8 1M x 16SRAMParallel-1645ns-45 ns8mm--ROHS3 Compliant表面贴装MoBL®e1yesSMD/SMTTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)CY62167483V130mA3-STATE20b16 Mb22MHzCOMMONAsynchronous16b8无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62167EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY62167EV30LL-45BVXI - SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 2.2V to 3.6V, FBGA, 48 Pins, 45 ns | 对比 | |
| CY62137FV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 48-VFBGA | IC SRAM 2MBIT 45NS 48VFBGA | 对比 | |
![]() | AS6C8016A-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 48-Pin FBGA | 对比 |



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