AS6C8016-55BIN备选型号: AS6C2016-55BIN
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- 内存大小
- 端口的数量
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- 输出特性
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TFBGA488 Weeks表面贴装48-LFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray2008yes活跃3 (168 Hours)482.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40483V5.5V3/5V2.7V8Mb 512K x 161SRAMParallel3-STATE1655ns19b8 Mb0.00005A55 nsCOMMON2V8mm无SVHC无ROHS3 Compliant-
- SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA8 Weeks表面贴装48-TFBGAYES48Volatile-40°C~85°C TATray2008yes活跃3 (168 Hours)482.7V~5.5VBOTTOM26013V0.75mm40483V5.5V3/5V2.7V2Mb 128K x 161SRAMParallel3-STATE1655ns17b2 Mb0.00002A55 nsCOMMON2V8mm-无ROHS3 Compliant无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS62WV51216BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
| IS62WV51216BLL-55BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 | |
![]() | AS6C8008-55BIN | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 48-LFBGA | SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM | 对比 |



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