AS6C8016-55BIN备选型号: AS6C2016-55BIN

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  • 安装类型
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  • 终止次数
  • 电压 - 供电
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  • 电源电压
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  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
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  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 内存格式
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  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间(最大)
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TFBGA48
    8 Weeks
    表面贴装
    48-LFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    2.7V~5.5V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    40
    48
    3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    19b
    8 Mb
    0.00005A
    55 ns
    COMMON
    2V
    8mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    YES
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    2.7V~5.5V
    BOTTOM
    260
    1
    3V
    0.75mm
    40
    48
    3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    2Mb 128K x 16
    1
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    17b
    2 Mb
    0.00002A
    55 ns
    COMMON
    2V
    8mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
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