Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55BIN
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AS6C2016-55BIN
101-AS6C2016-55BIN
存储器
48-TFBGA
大陆
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SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
--最小包装量--
AS6C2016-55BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS6C2016-55BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
2.7V~5.5V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
48
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源
3/5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
2Mb 128K x 16
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Mb
待机电流-最大值
0.00002A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
长度
8mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AS6C2016-55BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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