AS6C8016-55ZIN备选型号: CY62157ESL-45ZSXI

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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 电源电流
  • 内存宽度
  • 最高频率
  • 同步/异步
  • 字长
  • Alliance Memory, Inc.
    ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55ZIN SRAM, 8MB, 2.7-5.5V, 512KX16, TSOP44
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    SMD/SMT
    EAR99
    2.7V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    40
    44
    3V
    5.5V
    3/5V
    2.7V
    8Mb 512K x 16
    1
    60mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    55ns
    19b
    8 Mb
    0.00005A
    55 ns
    COMMON
    2V
    1mm
    18.42mm
    10.16mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2001
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    -
    -
    2.2V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    3V
    0.8mm
    30
    44
    -
    3.6V
    2.5/5V
    2.2V
    8Mb 512K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    45ns
    19b
    8 Mb
    0.000005A
    45 ns
    COMMON
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    MoBL®
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    IT ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY
    CY62157
    25mA
    16
    22MHz
    Asynchronous
    16b
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