AS7C31026B-15TCNTR备选型号: 71V016SA15PHG8
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- JESD-609代码
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- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
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- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
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- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 界面
- 端口的数量
- 访问时间
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM8 Weeks表面贴装44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)YES44Volatile0°C~70°C TATape & Reel (TR)1996e3/e6yes活跃3 (168 Hours)44PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH3.3VDUAL26010.8mm40R-PDSO-G441Mb 64K x 16SRAMParallel64KX161615ns1048576 bit15 ns3.6V3V18.415mm1.2mm10.16mmROHS3 Compliant--------------
- IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II12 Weeks-TSOP-44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous-Tape & Reel2011--活跃---3.3V------128kB-------3.6V3V18.41mm-10.16mm符合RoHS标准表面贴装130mA70°C0°CParallel115 ns16b1 MbAsynchronous16b1mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C3256A-15TCNTR | Alliance Memory, Inc. | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | SRAM 256K 3.3V 15ns FAST 32K x 8 Asynch SRAM | 对比 |
![]() | 71V016SA15PHGI | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM | 对比 |
![]() | 71V016SA15PHG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II | 对比 |






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