AS7C32098A-12TCNTR备选型号: 71V416S12PHG
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 宽度
- 座位高度(最大)
- 长度
- RoHS状态
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 最大电流源
- 温度等级
- 界面
- 端口的数量
- 访问时间
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- SRAM 2M, 3.3V, 12ns FAST 128K x 16 Asyn SRAM8 WeeksYES44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)表面贴装44Volatile2001Tape & Reel (TR)0°C~70°C TAe3/e6yes活跃3 (168 Hours)44PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH3V~3.6VDUAL26010.8mm40R-PDSO-G442Mb 128K x 16SRAMParallel128KX161612ns2097152 bit12 ns3.6V3V10.16mm1.2mm18.415mmROHS3 Compliant---------------------
- SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM12 Weeks-TSOP-44RAM, SDR, SRAM - Asynchronous2005--e3yes活跃3 (168 Hours)44Matte Tin (Sn) - annealed3.3VDUAL26010.8mm30-512kB-------3.6V3V10.16mm-18.41mm符合RoHS标准表面贴装180mA70°C0°C鸥翼180mACOMMERCIALParallel112 ns3-STATE18b4 Mb0.02ACOMMONAsynchronous16b3V1mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1399BN-12ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL 12NS 28-TSSOP - More Details | 对比 | |
![]() | 71V416S12PHG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | 对比 |




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