AS7C34096A-10JCN备选型号: 71V424S10YG
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- SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ10 Weeks表面贴装36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)3636-SOJVolatile0°C~70°C TATube2001活跃3 (168 Hours)70°C0°C3V~3.6V1MHz3.3VParallel3.6V3V4Mb 512K x 8110nsSRAMParallel10ns19b4 Mb无ROHS3 Compliant无铅-----------------------
- SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM12 Weeks--36-RAM, SDR, SRAM - Asynchronous--2008活跃3 (168 Hours)70°C0°C--3.3VParallel3.6V3V512kB110 ns---19b4 Mb无符合RoHS标准无铅表面贴装e3yes36Matte Tin (Sn) - annealedDUALJ BEND26013.3V36COMMERCIAL180mA3-STATE0.02ACOMMONAsynchronous8b3V23.4mm3.76mm10.2mm2.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1049DV33-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | SRAM, 4MBIT, PARALLEL, 10NS, 36SOJ | 对比 | |
| CY7C1049CV33-10VXA | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ | 对比 | |
![]() | 71V424S10YG | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | 对比 |




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