AS7C34096A-12JCN备选型号: 71V424S12YGI8

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  • 输出特性
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM
    10 Weeks
    表面贴装
    36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
    36
    36-SOJ
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2001
    活跃
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    3V~3.6V
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    4Mb 512K x 8
    1
    150mA
    12ns
    SRAM
    Parallel
    12ns
    19b
    4 Mb
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
    12 Weeks
    -
    -
    36
    -
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2009
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    -
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    512kB
    1
    -
    12 ns
    -
    -
    -
    19b
    4 Mb
    符合RoHS标准
    无铅
    YES
    e3
    yes
    36
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    J BEND
    260
    1
    3.3V
    36
    INDUSTRIAL
    3-STATE
    0.02A
    COMMON
    3V
    23.4mm
    3.683mm
    10.2mm
    2.2mm
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