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首页 全部分类 AS7C34098A-10BIN vs IS61WV5128BLL-10BLI

AS7C34098A-10BIN备选型号: IS61WV5128BLL-10BLI

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • Alliance Memory, Inc.
    AS7C34098A-10BIN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 3.3V, 10ns, FAST 256K x 16 Asyn SRAM
    10 Weeks
    表面贴装
    48-TFBGA
    48
    48-miniBGA (8x10)
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2001
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    3V~3.6V
    1MHz
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    4Mb 256K x 16
    1
    10ns
    SRAM
    Parallel
    10ns
    18b
    4 Mb
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61WV5128BLL-10BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA
    8 Weeks
    表面贴装
    36-TFBGA
    36
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    2.4V~3.6V
    -
    -
    -
    -
    -
    4Mb 512K x 8
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    10ns
    19b
    4 Mb
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    e1
    yes
    36
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    260
    1
    3.3V
    0.75mm
    40
    36
    3.6V
    2.4V
    40mA
    3-STATE
    8
    0.008A
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    2V
    8mm
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