AS7C34098A-10TIN备选型号: 71V416L10PHG

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  • 输出特性
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  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • Alliance Memory, Inc.
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
    10 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    44-TSOP2
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2001
    活跃
    3 (168 Hours)
    85°C
    -40°C
    3V~3.6V
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    4Mb 256K x 16
    1
    10ns
    SRAM
    Parallel
    10ns
    18b
    4 Mb
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
    12 Weeks
    -
    TSOP
    44
    -
    RAM, SDR, SRAM - Asynchronous
    -
    -
    2005
    活跃
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    -
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    512kB
    1
    10 ns
    -
    -
    -
    18b
    4 Mb
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    e3
    yes
    44
    Matte Tin (Sn) - annealed
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    30
    44
    COMMERCIAL
    180mA
    3-STATE
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    3V
    18.41mm
    10.16mm
    1mm
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