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首页 全部分类 AS7C3513B-10JCN vs IS61WV3216BLL-12TLI

AS7C3513B-10JCN备选型号: IS61WV3216BLL-12TLI

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 功能数量
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  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 内存宽度
  • 待机电流-最大值
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • Alliance Memory, Inc.
    AS7C3513B-10JCN
    Alliance Memory, Inc.
    SRAM Chip Async Single 3.3V 512K-Bit 32K x 16 10ns 44-Pin SOJ
    8 Weeks
    表面贴装
    44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
    44
    44-SOJ
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    1993
    活跃
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    3V~3.6V
    3.3V
    Parallel
    3.6V
    3V
    512Kb 32K x 16
    1
    10ns
    SRAM
    Parallel
    10ns
    15b
    512 kb
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS61WV3216BLL-12TLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 512K PARALLEL 44TSOP II
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    44
    -
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    3V~3.6V
    3.3V
    -
    -
    -
    512Kb 32K x 16
    1
    -
    SRAM
    Parallel
    12ns
    15b
    512 kb
    无
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    e3
    yes
    44
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    260
    1
    3.3V
    0.8mm
    40
    44
    3.63V
    2.97V
    45mA
    3-STATE
    16
    0.00005A
    COMMON
    Asynchronous
    16b
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