AS7C38096B-10BINTR备选型号: IS61LV25616AL-10BLI
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 内存大小
- 内存格式
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- 写入周期时间 - 字符、页面
- RoHS状态
- 底架
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 端口的数量
- 电源电流
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 密度
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 宽度
- 长度
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA10 Weeks表面贴装48-LFBGA48Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2014yes活跃3 (168 Hours)2.7V~3.6V未说明unknown未说明8Mb 1M x 8SRAMParallel10nsROHS3 Compliant-------------------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA8 Weeks表面贴装48-TFBGA48Volatile-40°C~85°C TATray-yes活跃3 (168 Hours)3.135V~3.6V260-404Mb 256K x 16SRAMParallel10nsROHS3 Compliant表面贴装e148Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOM13.3V0.75mm483.3V3.63V1110mA3-STATE18b4 MbCOMMONAsynchronous16b2V8mm10mm600μm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61LV25616AL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | 对比 | |
| IS62WV12816BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 48-TFBGA | IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA | 对比 |



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