AS7C4096A-12TCNTR备选型号: IS61C6416AL-12TLI

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 内存大小
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  • 组织结构
  • 内存宽度
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  • 记忆密度
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • Current - Supply (Nom)
  • 电源
  • 端口的数量
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 待机电压-最小值
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Alliance Memory, Inc.
    SRAM 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch SRAM
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    0°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3/e6
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
    5V
    DUAL
    260
    1
    0.8mm
    40
    R-PDSO-G44
    4Mb 512K x 8
    SRAM
    Parallel
    512KX8
    8
    12ns
    4194304 bit
    12 ns
    5.5V
    4.5V
    18.415mm
    1.2mm
    10.16mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Asynchronous Single 5 Volt 1m-Bit 64k X 16 12ns 44-Pin TSOP-II
    8 Weeks
    表面贴装
    44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
    YES
    44
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    44
    Matte Tin (Sn) - annealed
    5V
    DUAL
    260
    1
    0.8mm
    40
    -
    1Mb 64K x 16
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    12ns
    -
    -
    -
    -
    18.52mm
    -
    10.29mm
    ROHS3 Compliant
    45mA
    5V
    1
    3-STATE
    16b
    1 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    2V
    1.05mm
    无铅
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