AS8C403625-QC75N备选型号: 71V3579S75PFG8
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- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 内存大小
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- 时钟频率
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- 输出特性
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- 电压 - 供电 (最小值)
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- Current - Supply (Nom)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 终端形式
- 频率
- 温度等级
- 界面
- 同步/异步
- 字长
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 256K x 36 7.5ns 100-Pin TQFP8 Weeks表面贴装100-LQFPYES100Volatile20050°C~70°C TATraye3/e6yes活跃3 (168 Hours)100PURE MATTE TIN/TIN BISMUTHFLOW THROUGH3.135V~3.465VQUAD26010.65mm40不合格4Mb 128K x 362117MHz7.5nsSRAMParallel3-STATE368.5ns18b9 Mb0.03ACOMMON3.14V3.465V3.135V1.6mmROHS3 Compliant无铅--------------
- SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 7.5ns 100-Pin TQFP T/R12 Weeks-TQFP-100117MHz2009--e3yes活跃3 (168 Hours)100Matte Tin (Sn) - annealedFLOW-THROUGH ARCHITECTURE3.3VQUAD26010.65mm30-512kB1-7.5 ns--3-STATE--18b4.5 Mb0.03ACOMMON-3.465V3.135V-符合RoHS标准无铅表面贴装255mA70°C0°C鸥翼117MHzCOMMERCIALParallelSynchronous18b20mm14mm1.4mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V3579S75PFG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 7.5ns 100-Pin TQFP T/R | 对比 |
![]() | 71V3579S75PFGI8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TQFP | SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 256K x 18 7.5ns 100-Pin TQFP T/R | 对比 |




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