AT17F16-30CU备选型号: SST26VF016-80-5I-S2AE
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 可编程类型
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 电源电流-最大值
- 组织结构
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 并行/串行
- 内存IC类型
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 界面
- 电源电流
- 最大电源电流
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 编程电压
- 串行总线类型
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 辐射硬化
- IC FLASH CONFIG 16M 8LAP17 Weeks表面贴装8-TDFNYESIndustrial grade-40°C~85°CTube1997e4yes活跃3 (168 Hours)8Nickel/Gold (Ni/Au)2.97V~3.63VDUAL无铅26013.3V1.27mm40AT17F16S-XDSO-N8不合格3.63V3.3V2.97VFLASH16MbSYNCHRONOUS33MHz0.04mA16MX110.002A16777216 bitSERIAL配置存储器10000 Write/Erase Cycles0.03ms5.99mm1.14mm5.99mmROHS3 Compliant无铅-----------------------
- IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC21 Weeks表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATube2005e3yes活跃3 (168 Hours)8Matte Tin (Sn) - annealed2.7V~3.6VDUAL-26013V1.27mm40SST26VF016--3.6V-2.7V-16Mb 2M x 8-80MHz-16MX110.000015A---100000 Write/Erase Cycles-5.275mm2.16mm-ROHS3 Compliant无铅8540.001716mgSST26 SQI®3A991.B.1.A83.3VSPI, Serial18mA18mA6 nsFLASHSPI - Quad I/O8b1.5ms1b16 MbSynchronous2.7VSPI100SOFTWARE256B无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SST26VF016-80-5I-S2AE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC | 对比 | |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8 | 对比 | |
![]() | SST26VF016B-104I/SN | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |




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