AT28BV256-20TU-T备选型号: 71V256SA12PZG8
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
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- 写入周期时间 - 最大值
- 长度
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- 宽度
- RoHS状态
- 已出版
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 最高工作温度
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- 终端形式
- 电源电压
- 引脚数量
- 温度等级
- 界面
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 端口的数量
- 输出特性
- 地址总线宽度
- 待机电流-最大值
- I/O类型
- 同步/异步
- 字长
- 待机电压-最小值
- 器件厚度
- 辐射硬化
- 无铅
- IC EEPROM 256K PARALLEL 28TSOP16 Weeks表面贴装表面贴装28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width)28Non-Volatile-40°C~85°C TCTape & Reel (TR)e3活跃3 (168 Hours)28Matte Tin (Sn)2.7V~3.6VDUAL未说明10.55mm未说明3.3V3.6V2.7V256Kb 32K x 815mAASYNCHRONOUS200nsEEPROMParallel32KX8810ms256 kb3V10ms11.8mm1.2mm8mmROHS3 Compliant-----------------------
- SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I T/R7 Weeks表面贴装-TSOP28RAM, SDR, SRAM - Asynchronous-Tape & Reele3活跃3 (168 Hours)28Matte Tin (Sn) - annealed-DUAL26010.55mm303.3V--32kB90mA-12 ns--32KX8--256 kb--8mm-11.8mm符合RoHS标准2012yesEAR9970°C0°C鸥翼3.3V28COMMERCIALParallel3.6V3V13-STATE15b0.002ACOMMONAsynchronous8b3V1mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CY62256VNLL-70ZXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC, SRAM, 256KBIT, TSOP-28 - More Details | 对比 | |
![]() | 71V256SA12PZG8 | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | TSOP | SRAM Chip Async Single 3.3V 256K-Bit 32K x 8 12ns 28-Pin TSOP-I T/R | 对比 |
| CY7C1399BN-12ZXC | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC, SRAM, 256KBIT, PARALLEL 12NS 28-TSSOP - More Details | 对比 |




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