AT28C256E-20FM/883备选型号: AT28C256-20DM/883
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 筛选水平
- 编程电压
- 耐力
- 写入周期时间 - 最大值
- 数据轮询
- 拨动位
- 页面尺寸
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 数据保持时间
- 写入保护
- 命令用户界面
- 长度
- 辐射硬化
- IC EEPROM 256K PARALLEL 28FLATPK23 WeeksLead, Tin表面贴装表面贴装28-CFlatPack28Non-Volatile-55°C~125°C TCTube1997e0no活跃3 (168 Hours)28锡铅自动写入4.5V~5.5VDUAL24015V1.27mm200GHz30AT28C256不合格5V5VParallel, SPI256Kb 32K x 850mAASYNCHRONOUS200nsEEPROMParallel32KX83-STATE810ms256 kb0.0003AMIL-STD-883 Class C5V100000 Write/Erase Cycles10msYESYES64words3.02mm10.16mmNon-RoHS Compliant含铅-------
- IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP23 Weeks-通孔通孔28-CDIP (0.600, 15.24mm)28Non-Volatile-55°C~125°C TCTube---活跃1 (Unlimited)28--4.5V~5.5VDUAL-15V2.54mm200GHz-AT28C256----256Kb 32K x 850mA-200nsEEPROMParallel32KX8-810ms256 kb0.0003AMIL-STD-883 Class C5V10000 Write/Erase Cycles10msYES--5.72mm15.24mmNon-RoHS Compliant含铅5.5V4.5V10HARDWARE/SOFTWARENO37.215mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT28C256-15TU | Microchip Technology | 存储器 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | IC EEPROM 256K PARALLEL 28TSOP | 对比 |
![]() | AT28C256-20DM/883 | Microchip Technology | 存储器 | 28-CDIP (0.600, 15.24mm) | IC EEPROM 256K PARALLEL 28CDIP | 对比 |





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