AT45DB081E-UUN-T备选型号: SST25VF020B-80-4I-SAE
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 并行/串行
- 编程电压
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- Current - Supply (Nom)
- 系列
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 最大电流源
- 界面
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 高度
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8WLCSP12 Weeks表面贴装8-UFBGA, WLCSPYESNon-Volatile-40°C~85°C TCTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn)IT ALSO OPERATES AT FREQUENCY 85 MHZ AT 1.7 TO 3.6 SUPPLY VOLTAGE3VBOTTOM未说明10.5mm未说明R-PBGA-B88Mb 264Bytes x 4096 pagesSYNCHRONOUS85MHzFLASHSPI8MX118μs, 4ms8388608 bitSERIAL2.7V3.6V2.3V0.52mm1.605mmROHS3 Compliant-------------------------
- MICROCHIP - SST25VF020B-80-4I-SAE - Flash Memory, Serial NOR, 2 Mbit, 256K x 8bit, 4 Wire, Serial, SPI, SOIC, 8 Pins6 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATube2005e3yes活跃1 (Unlimited)8--3.3VDUAL26011.27mm40-2Mb 256K x 8-80MHzFLASHSPI--10μs--2.7V3.6V2.7V-5mmROHS3 CompliantTin8540.001716mg20mASST253A991.B.1.ASST25VF020B30mASPI, Serial6 ns8b1b2 Mb0.00002ASynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE1.5mm4mm无SVHC无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF020B-80-4I-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - SST25VF020B-80-4I-SAE - Flash Memory, Serial NOR, 2 Mbit, 256K x 8bit, 4 Wire, Serial, SPI, SOIC, 8 Pins | 对比 |
![]() | SST26VF016B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |





哦! 它是空的。