AT45DB081E-UUN-T备选型号: SST26VF016B-104I/MF
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- 工厂交货时间
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 操作模式
- 时钟频率
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 并行/串行
- 编程电压
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 底架
- 引脚数
- 系列
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- 基本部件号
- 资历状况
- 电源
- 界面
- 电源电流-最大值
- 密度
- 待机电流-最大值
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 引导模块
- 反向引脚排列
- 长度
- 高度
- IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8WLCSP12 Weeks表面贴装8-UFBGA, WLCSPYESNon-Volatile-40°C~85°C TCTape & Reel (TR)2005e3yes活跃1 (Unlimited)8Matte Tin (Sn)IT ALSO OPERATES AT FREQUENCY 85 MHZ AT 1.7 TO 3.6 SUPPLY VOLTAGE3VBOTTOM未说明10.5mm未说明R-PBGA-B88Mb 264Bytes x 4096 pagesSYNCHRONOUS85MHzFLASHSPI8MX118μs, 4ms8388608 bitSERIAL2.7V3.6V2.3V0.52mm1.605mmROHS3 Compliant--------------------
- IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WDFN7 Weeks表面贴装8-WDFN Exposed Pad-Non-Volatile-40°C~85°C TATube2006e3-活跃3 (168 Hours)8Matte Tin (Sn) - annealed-2.7V~3.6VDUAL未说明11.27mm未说明-16Mb 2M x 8SYNCHRONOUS104MHzFLASHSPI - Quad I/O16MX1-1.5ms--2.7V3.6V2.7V-5mmROHS3 Compliant表面贴装8SST26 SQI®3A991.B.1.ASST26VF016B不合格3/3.3VSPI, Serial0.025mA16 Mb0.000025ASPI100000 Write/Erase Cycles100HARDWARE/SOFTWARE256BBOTTOM/TOPNO6mm800μm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF020B-80-4I-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - SST25VF020B-80-4I-SAE - Flash Memory, Serial NOR, 2 Mbit, 256K x 8bit, 4 Wire, Serial, SPI, SOIC, 8 Pins | 对比 |
![]() | SST26VF016B-104I/SM | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIJ | 对比 |
| IS25LQ040B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC | 对比 |






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