AT45DB161E-SHD-B备选型号: S25FL116K0XMFI013
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 编程电压
- 串行总线类型
- 耐力
- 数据保持时间
- 写入保护
- 页面尺寸
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 附加功能
- 电源
- 电源电流-最大值
- 内存宽度
- 备用内存宽度
- 座位高度(最大)
- AT45DB161E Series 16 Mb(4096 pages x 528 Bytes)3.6 V SPI Flash Memory- SOIC-8Gold表面贴装表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TCTube1997e4yes不用于新设计1 (Unlimited)8EAR992.5V~3.6VDUAL26013V1.27mm83.3V3.6V2.5VSPI, Serial16Mb 528Bytes x 4096 pages26mA85MHz6 nsFLASHSPI8b16MX18μs, 4ms21b16 Mb0.00001ASynchronous2.7VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE512B1.91mm5.35mm5.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SOTin表面贴装表面贴装8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)8Non-Volatile-40°C~85°C TACut Tape (CT)2014e3-Obsolete3 (168 Hours)8-2.7V~3.6VDUAL-13V1.27mm--3.6V2.7VSPI, Serial16Mb 2M x 8-108MHz7 nsFLASHSPI - Quad I/O-4MX43ms24b16 Mb0.000005A-3VSPI100000 Write/Erase Cycles20HARDWARE/SOFTWARE256B----无ROHS3 Compliant-8 WeeksFL1-KALSO CONFIGURABLE AS 16M X 13/3.3V0.025mA422.159mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S25FL116K0XMFI041 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO | 对比 | |
| S25FL116K0XMFI011 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO | 对比 | |
| S25FL116K0XMFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO | 对比 |



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